西安錦宏電子有限公司

33 BAM11/√3-30-1W          11 30 0.79 1 

34 BAM11/√3-50-1W      11 50 1.32 1 

35 BAM11/√3-100-1W     11 100 2.63 1 

36 BAM11/√3-150-1W     11 150 3.95 1 

37 BAM11/√3-167-1W

38 BAM11/√3-200-1W     11 200 5.26 1 

39 BAM11/√3-300-1W         11 300 7.89 1 

40 BAM11/√3-334-1W         11 334 8.79 1

41 BAM11/√3-400-1W 

42 BAM12/√3-30-1W          12 30 0.66 1 

43 BAM12/√3-50-1W          12 50 1.11 1 

44 BAM12/√3-100-1W         12 100 2.21 1 

45 BAM12/√3-167-1W 

46 BAM12/√3-150-1W         12 150 3.32 1 

47 BAM12/√3-200-1W         12 200 4.42 1 

48 BAM12/√3-300-1W         12 300 6.63 1 

49 BAM12/√3-334-1W         12 334 7.38 1 

50 BAM12/√3-400-1W         12 400  1 

●能為電容器所耐受而不受到顯著損傷的過電壓值取決于持續(xù)時間、總的次數(shù)和電容器的溫度。

●下表中高于1.15Un的過電壓是以在電容器的壽命期間發(fā)生總共不超過200次為前提確定的。

工頻過電壓  持續(xù)時間  說明 

1.10Un  長期  指長期過電壓的應(yīng)不超過1.10Un 

1.15Un  每24h中30min  系統(tǒng)電壓的調(diào)整與波動 

1.20Un  5min  輕載荷時電壓升高 

1.30Un  1min 

●允許在由于過電壓和高次諧波造成的有效值為額定電流的1.30倍的穩(wěn)態(tài)過電流下運(yùn)行。對于電容具有正偏差的電容器，穩(wěn)態(tài)過電流允許達(dá)到額定電流的1.43倍。

●電容偏差為：-5％~+10％。

●損耗角正切值tarδ(在額定電壓下，20℃時)

a.采用膜紙復(fù)合介質(zhì)的產(chǎn)品不大于0.0012。

b.采用全膜介質(zhì)的產(chǎn)品不大于0.0005(不含內(nèi)熔絲)。

c.帶內(nèi)熔絲的電容器損耗角正切值、在定貨時協(xié)商確定。

●電容器分戶內(nèi)型和戶外型，并有適合于濕熱地區(qū)，高原地區(qū)及污穢地區(qū)等各種特殊環(huán)境用的產(chǎn)品。

●產(chǎn)品技術(shù)性能符合GB3983-89、GB/T11024-2001《高低壓并聯(lián)電容器》國家標(biāo)準(zhǔn)及l(fā)EC871-1(1987)要求。

●電容器的連續(xù)運(yùn)行電壓為1.00Un，且能在如下表所規(guī)定的穩(wěn)態(tài)過電壓下運(yùn)行相應(yīng)的時間。

西安錦宏專業(yè)生產(chǎn)高壓并聯(lián)電容器--錦宏牌

英文名稱：High-voltage shunt capacitor

型號命名中各字母/數(shù)字含義解釋：

如型號BAM11/√3-334-1W

B：表示并聯(lián)電容器

A：浸漬劑為芐基

M：介質(zhì)材料（全沒介質(zhì)）

11/√3:電壓等級

334：電容量

1W:1單相戶外（不帶W表示單相戶內(nèi)使用）